3Y-TZP 氧化锆粉体 — 3 mol% 氧化钇稳定四方相氧化锆多晶体 (Tosoh TZ-3Y 同等品)
SEMITECH 3Y-TZP 是共沉淀、喷雾干燥的氧化钇稳定氧化锆粉体，含 3 mol% Y₂O₃ (5.15 wt%)，与 Tosoh TZ-3Y/TZ-3YS-E 同等。四方相在室温下亚稳态保留，实现相变增韧（断裂韧性 8–12 MPa·m^0.5，所有氧化物陶瓷最高）。价格比 Tosoh 经销商价低30–50%，库存品7–14天交货。
技术规格
| 参数 | 单位 | 典型值 | 测试方法 |
|---|---|---|---|
| ZrO₂ + HfO₂ 含量 | wt% | ≥94.5 | XRF (GB/T 26009) |
| Y₂O₃ 含量 | wt% | 5.15 ± 0.20 | XRF |
| HfO₂ 含量 | wt% | ≤2.0 | XRF |
| Al₂O₃ 含量 | wt% | 0.25 ± 0.10 | XRF |
| SiO₂ | wt% | ≤0.02 | ICP-OES |
| Fe₂O₃ | wt% | ≤0.01 | ICP-OES |
| Na₂O | wt% | ≤0.04 | ICP-OES |
| 灼烧减量 (1050°C) | wt% | ≤1.0 | 重量法 |
| 中位粒径 d50（喷雾干燥造粒） | μm | 30–80 | 激光衍射 (ISO 13320) |
| 中位粒径 d50（研磨） | μm | 0.3–0.6 | 激光衍射 |
| BET 比表面积 | m²/g | 7–15 | N₂ 吸附 (ISO 9277) |
| 四方相含量 | % | ≥98 | XRD (Rietveld 精修) |
| 烧结密度 (1450°C / 2h) | g/cm³ | ≥6.05 | 阿基米德法 |
| 弯曲强度（烧结后） | MPa | ≥1000 | 三点弯曲 (ISO 6872) |
| 断裂韧性 | MPa·m^0.5 | 8–12 | SEVNB / IF 法 |
| 维氏硬度 | HV10 | 1200–1350 | ISO 6507 |
应用建议
齿科修复体 — CAD/CAM 氧化锆牙冠和牙桥
粉体经冷等静压成型制成预烧结坯体，CAD/CAM 铣削后 1450–1530°C 烧结。弯曲强度 ≥1000 MPa，满足 ISO 13356 植入级纯度要求。
半导体设备用结构陶瓷
等离子体抗蚀腔室衬里、晶圆搬运臂和对准夹具。热冲击抗力 ΔTc ≈ 300°C，耐 HF/HCl 及含氟等离子体。
光纤陶瓷插芯
单模光纤连接器行业标准。细晶粒 (<0.5 μm) 和各向同性收缩确保同心度 ≤0.5 μm、插入损耗 <0.2 dB。
精密阀门和泵部件
耐强酸（HF 除外）、碱和有机溶剂，磨蚀性浆料中磨损率远低于金属。
▶展开全部内容（2 节）
技术支持与常见问题：3Y-TZP 氧化锆粉体
+Q1：与 Tosoh TZ-3YS-E 相比如何？
所有关键规格一致：Y₂O₃、Al₂O₃、d50、BET 和烧结密度。独立 XRD 确认四方相 ≥98%。并排烧结试验显示致密化曲线在 ±10°C 内一致。
+Q2：推荐的烧结曲线？
2–5°C/min 至 1450°C，保温 2h。0.25 wt% Al₂O₃ 使烧结温度比无氧化铝 3Y-TZP 降低约100°C。
+Q3：是否适用于低温老化 (LTD) 敏感应用？
3Y-TZP 在 100–400°C 潮湿环境中容易 LTD。需要 LTD 抗力的应用请联系 info@semitechnm.com 获取 Ce 共稳定或 ATZ 牌号。
+Q4：价格和交货期？
库存品 7–14 工作日，比 Tosoh 低30–50%。MOQ 25 kg。免费 1 kg 样品附完整分析数据包。
包装与储存信息
25 kg 牛皮纸袋带 PE 内衬或 500 kg FIBC。阴凉干燥仓库，避免 >60% RH 条件长期暴露。保质期24个月。