≥ 99.95% ZnO，用于 MLV 压敏电阻、MOV 浪涌保护器、铁氧体磁芯和 SAW 滤波器。间接法原料，Pb ≤ 5 ppm，Cd ≤ 3 ppm——逐批次 ICP-MS 验证。
主要规格
关键参数——完整规格见 CoA。
纯度
≥ 99.95
% ZnO
D50
0.3 – 0.8
μm
Pb
≤ 5
ppm
Cd
≤ 3
ppm
完整规格
CAS 1314-13-2 · EINECS 215-222-5 · 间接法 · 经认证的中国制造商。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 外观 | 松散白色粉末，无机械污染 |
| ZnO 含量 | ≥ 99.95% |
| 灼烧失重（950 °C） | ≤ 0.20% |
| 酸不溶物 | ≤ 0.005% |
| 水溶性盐 | ≤ 0.05% |
| 铅（Pb） | ≤ 5 ppm |
| 镉（Cd） | ≤ 3 ppm |
| 铁（Fe） | ≤ 10 ppm |
| 锰（Mn） | ≤ 1 ppm |
| 铜（Cu） | ≤ 2 ppm |
| D50（激光衍射） | 0.3 – 0.8 μm |
| D90 | ≤ 2 μm |
| BET 比表面积 | 5 – 10 m²/g |
| 筛余物（45 μm） | ≤ 0.01% |
| pH（5% 水浆） | 6.8 – 7.5 |
| 包装 | 25 kg PE 复合牛皮纸袋 · 可提供 500 kg 吨袋 |
应用详情
该牌号在生产中的使用方式——典型添加量和工艺要点。
多层压敏电阻（MLV）及 MOV 浪涌保护器
作为主要基体（≥ 90 wt%）用于 ZnO 基压敏电阻。重金属控制至关重要——Pb 和 Cd 会破坏决定 V-I 曲线的晶界击穿特性。粒径调控（D50 0.3–0.5 μm）决定烧结密度和最终击穿电压。典型共添加剂：Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃。
铁氧体磁芯生产
以 1–5 wt% 用量作为镍锌和锰锌铁氧体的烧结助剂。低铁含量（≤ 10 ppm）可防止形成不需要的磁相。稳定的 D50 确保烧结过程中收缩一致。
SAW 滤波器及压电基板
ZnO 薄膜沉积在 LiNbO₃ 或 LiTaO₃ 基板上。体相 ZnO 粉体原料要求 ≥ 99.95% 纯度，碱金属残留极低（按需 Na、K ≤ 5 ppm）。
荧光粉及 LED 封装材料
作为 LED 封装材料中的 UV 散射和稳定添加剂，用量 0.1–1 wt%——要求很低的 D90（≤ 2 μm）以避免雾度。
常见问题
+贵方能提供哪些牌号级别的 ICP-MS 数据？
签署保密协议后可提供 16 元素全扫描 ICP-MS 报告——涵盖 Pb、Cd、As、Hg、Cr、Ni、Fe、Mn、Cu、Co、Sb、Bi、Sn、Tl、Na、K。标准 CoA 涵盖最受关注的 5 个元素（Pb、Cd、Fe、Mn、Cu）。
+能否保证 Pb 低于 3 ppm？
可以——Pb ≤ 3 ppm 的更严格规格可作为定制生产批次提供，MOQ 为 5 MT。标准 ≥ 99.95% 牌号出货 Pb ≤ 5 ppm。
+在 1100 °C 下烧结密度和收缩率大约是多少？
典型烧结密度 5.5–5.65 g/cm³（理论密度的 96–99%），线性收缩率 18–22%（相对于生坯压块）。实际值取决于生坯压制压力和掺杂配方。
+是否可以按需提供低碱金属（Na、K）规格？
可以——Na ≤ 10 ppm 和 K ≤ 10 ppm 规格可经事先协商后提供（须按批次排产安排）。